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重点必看

业界最快trr“PrestoMOS”新产品阵容中的“R60xxMNx系列”

短路耐受能力更高,且自启动得到抑制

关键词
  • PrestoMOS
  • R60xxMNx系列
  • Qg
  • 栅极总电荷量
  • 导通电阻
  • 开关损耗
  • 传导损耗
  • 超级结MOSFET
  • trr
  • 反向恢复时间
  • APF
  • 全年能效比
  • 逆变器电路
  • 电机驱动器电路
  • 再生电流
  • 换流损耗
  • FRD
  • 快速恢复二极管
  • IGBT

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低了开关损耗,促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能,还要进一步降低导通电阻Qg(栅极总电荷量)并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言,导通电阻和Qg存在权衡关系,但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势,实现了两者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商标。

20171128_graf_06

开关损耗和传导损耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言,当发生短路时,会流过超出设计值的大电流,并异常发热引起热失控,最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力,就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管(热失控的原因),使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快,而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。

20171128_graf_10

抑制自启动带来的损耗

自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化(从0V到施加电压)时,MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值,MOSFET短时间导通的现象。这种额外的导通时间当然就成为损耗。

其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt,或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策

而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容,从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。

R60xxMNx系列

封装 用途 产品
名称
极性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD(W)
(Tc=25°C)
RDS(on)(Ω) Qg Typ.
(nC)
trr
(Typ.)
(ns)
驱动
电压
(V)
VGS=10V
Typ. Max VGS=10V
TO-252 开关 R6010MND3 N 600 10 143 0.28 0.38 20 80 10
R6008MND3 600 8 115 0.45 0.61 13.5 65
R6007MND3 600 7 95 0.54 0.73 10 60
TO-220FM R6030MNX 600 30 90 0.11 0.15 45 90
☆R6020MNX 600 20 72 0.19 0.25 30 85
TO-3PF R6047MNZ 600 47 102 0.06 0.081 70 105
TO-247 R6076MNZ1 600 76 740 0.04 0.055 115 135
R6047MNZ1 600 47 440 0.06 0.081 70 105

☆:开发中

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