EN系列:保持低导通电阻与开关速度,改善噪声性能

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比,导通电阻和栅极电荷(Qg)显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性,并已扩展为系列化产品,现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。

低噪声 EN系列

以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点,但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。

平面MOS、SJ MOS AN Series

噪声比较、A*Ron比较

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低,因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中,与平面MOSFET相比,以往产品AN系列降低65%,EN系列则降低达80%。

该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。

■R60xxENx系列:低噪声

机型名 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) 封装
R6002ENx 600 1.7 2.8 6.5 CPT/TO252☆
R6004ENx 4 0.9 15 CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx 7 0.57 20 TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx 9 0.5 23 TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx 11 0.34 32 TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx 15 0.26 40 LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx 20 0.17 60 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx 24 0.15 70 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx 30 0.115 85 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx 35 0.095 110 TO3PF/TO247
R6047ENx 47 0.07 145 TO247
R6076ENx 76 0.04 260 TO247

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 开发中

相关文章

  1. p45_f01

    QuiCur™:可更大程度地提高电源IC响应性能的创新型电源技术:高速负载响应技术“Q…

  2. p43_f01

    ROHM Solution Simulator新增热分析功能:免费提供电路级的热-电耦合分析,通过仿…

  3. p41_f02

    内置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的车载充电器案例中 开关损耗降低67%…

  4. p40_02_f1

    规格篇 使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易

  5. BD9G500EFJ-EVK-001_03_01

    罗姆降压型DC/DC转换器IC评估版“BD9G500EFJ-EVK-001”评测(3)

  6. BD9G500EFJ-EVK-001_02_01

    罗姆降压型DC/DC转换器IC评估版“BD9G500EFJ-EVK-001”评测(2)

  7. evaluation_board_06

    罗姆降压型DC/DC转换器IC评估版“BD9G500EFJ-EVK-001”评测(1)

  8. p40_f2

    -优点篇- 使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易

  9. p38_f1-1

    适用于白色家电和小型工业设备用变频器的IGBT IPM 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 -规格篇-

TECH INFO

  • 重点必看
  • 技术分享
  • Arduino入门指南

基础知识

  • Si功率元器件
  • IGBT功率元器件
  • 热设计
  • 仿真
  • 开关噪声-EMC
  • AC/DC
  • DC/DC
  • 电机
  • 传递函数

工程技巧


PICK UP!

  1. 刘铭
  2. ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻
PAGE TOP