ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，该系列产品“支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101”，而且共有13款型号，拥有业界丰富的产品阵容。　

为了延长xEV的续航距离，要求车载充电器实现高输出、高效率

近年来，xEV（电动汽车的总称）汽车迅速普及。其中电动汽车（EV）的普及速度尤为迅速，然而续航距离短却成为亟需解决的课题。为了延长续航距离，所配置电池的容量呈日益增加趋势，与此同时，还要求缩短充电时间。为了满足这种市场需求，比起11kW、22kW这样的说法，市场更需要更高输出、更高效率的车载充电器，故采用SiC MOSFET的应用案例越来越多。另外，以欧洲为中心，所配置电池的电压也呈日益增高趋势（800V），这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。

基于这种市场需求，ROHM一直致力于扩充支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容。此次新增的10款型号，是采用了ROHM第三代沟槽栅结构的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET与第二代平面型SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。这些新产品的加入，使包括SiC SBD（肖特基势垒二极管）在内的满足AEC-Q101标准的分立型产品目前多达34款型号，实属业界顶级阵容。下面是满足AEC-Q101标准的SiC MOSFET所有产品的阵容。如欲了解单个产品的规格，请点击产品名称的链接。

＜满足AEC-Q101标准的车载用SiC MOSFET产品阵容＞

通用规格：工作温度范围-55℃～+175℃、TO-247N封装、支持AEC-Q101

代别 （栅极结构）	产品名称	VDS (V)	导通电阻(typ.) (mΩ)	ID (A)	PD (W)
第3代 （沟槽栅结构）	SCT3017ALHR	650	17	118	427
	SCT3022ALHR		22	93	339
	SCT3030ALHR		30	70	262
	SCT3060ALHR		60	39	165
	SCT3080ALHR		80	30	134
	SCT3120ALHR		120	21	103
	SCT3022KLHR	1200	22	95	427
	SCT3030KLHR		30	72	339
	SCT3040KLHR		40	55	262
	SCT3080KLHR		80	31	165
	SCT3105KLHR		105	24	134
	SCT3160KLHR		160	17	103
第2代 （平面栅结构）	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

领先业界的SiC功率元器件的开发和生产体制

ROHM于2010年在全球率先成功实现了SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域始终在推进领先业界的产品开发并打造相应的量产体制。针对需求不断扩大的车载市场，ROHM及时确立了支持AEC-Q101等的车载级品质和可靠性，并从2012年起开始供应车载充电器用的SiC SBD，从2017年起开始供应车载充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。

另外，ROHM一直秉承“质量第一”的理念，采用从开发到制造全部在集团内进行的“垂直统合型”体制，针对在SiC功率元器件，也建立了从晶圆到封装全部在集团内部进行的一条龙生产体制，实现了高品质和高可靠性。

未来，ROHM将继续致力于扩充车载用SiC功率元器件的产品阵容。