内置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的车载充电器案例中 开关损耗降低67%

内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT:RGWxx65C系列

内置SiC SBD的Hybrid IGBT
在FRD+IGBT的车载充电器案例中
开关损耗降低67%

关键词
  • • SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)
  • • Hybrid型的IGBT
  • • 显著降低损耗
  • • RGWxx65C系列
  • • 650V耐压
  • • 与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开通损耗显著降低
  • • 可在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率
  • • 符合AEC-Q101标准

RGWxx65C系列是使用低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)作为IGBT续流二极管的Hybrid型IGBT,与使用快速恢复二极管(FRD)的IGBT相比,可以显著降低损耗。该系列产品非常适用于电气化车辆(xEV)中的车载充电器和DC/DC转换器、太阳能发电用的功率调节器和工业逆变器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。

<内置SiC二极管的IGBT:RGWxx65C系列的亮点>

  • 使用SiC SBD作为续流二极管的Hybrid IGBT
  • 650V耐压,IC(100℃) 30A/40A/50A有3种可选
  • 通过使用SiC SBD,显著降低了导通时的开关损耗
  • 用于xEV车载充电器时的损耗降低情况
    • ① 与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开关损耗降低67%
    • ② 与损耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)相比,开关损耗降低了24%
  • 符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101
  • 在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比
  • ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据
  • TO-247N封装(TO-263L表贴型封装产品正在开发中)

RGWxx65CシリーズのTO-247Nパッケージ品。/ RGWxx65CシリーズのTO-247Nパッケージ品のピン配置とピン機能。

使用SiC SBD可显著减少开通损耗,并大大降低应用产品的功耗

“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低损耗SiC SBD作为IGBT续流二极管的IGBT产品。与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开通损耗显著降低。在用于车载充电应用的案例中,开关损耗降低了67%,整体损耗降低了56%。此外,在与通常被认为比IGBT损耗更少的SJ-MOSFET进行比较的例子中,开关损耗可以降低24%。

RGWxx65Cシリーズによる、車載充電器での損失低減例。IGBT、SJ MOSFETとの比較。

此外,还可以在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率,在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%,可进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

RGWxx65CシリーズのSiC SBD搭載によるターンオン損失低減効果。/ RGWxx65Cシリーズの動作周波数と効率。

此外,RGWxx65C系列在替换现有的IGBT时,基本不需要改变电路板或元器件常数等,因此可以轻松且高性价比地提高效率。

符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性IGBT

RGWxx65C系列符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,不仅可用于车载应用,还可放心地用于各种工业设备。

应用示例

  • 车载充电器
  • 车载DC/DC转换器
  • 光伏逆变器(功率调节器)
  • 不间断电源(UPS)
  • 各种工业设备用变频器

Hybrid IGBT:RGWxx65C系列的产品阵容

目前,已推出TO-247N封装的3款机型。TO-263L表贴型封装产品正在开发中。

产品名称 耐压
VCES(V)
集电极电流
IC@100℃
(A)
开通损耗
VCE(sat)
Typ(V)
续流
二极管
符合
AEC-Q101
标准
封装
SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW60TS65CHR
650 30 1.5 SiC SBD YES TO-247N

SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減

SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW80TS65CHR
40
SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減
RGW00TS65CHR
50

RGW40NL65CHRB
20 TO-263L
(LPDL)SiCショットキーバリアダイオード内蔵のIGBT : RGWxx65Cシリーズ:SiC SBDを内蔵したHybrid IGBT FRD+IGBTの車載充電器の例ではスイッチング損失を67%低減

RGW50NL65CHRB
25

RGW60NL65CHRB
30

☆:开发中
※ 封装采用JEDEC标准。()内表示ROHM封装。

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