第三代采用新结构,抗浪涌电流性能更优异,VF特性进一步改善

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC-SBD”)产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。当前正在量产的第二代SiC-SBD实现了正向电压(VF=1.35V @25℃)。而第三代SCS3系列,VF特性得以进一步改善,而且抗浪涌电流性能IFSM也进一步提高。

通过采用JBS结构,实现高IFSM、低VF、低IR

作为SiC-SBD的第三代产品,SCS3系列为提高抗浪涌电流性能IFSM而采用了JBS(Junction Barrier Schottky)结构。另外,第二代实现的低VF特性得到进一步改善,损耗更低。由此提高了对设备异常工作时等产生的浪涌电流的耐受能力,使用时可比以往更安心。

正向电压抗浪涌电流性能

ROHM的第二代SiC-SBD实现了当时业界最小的正向电压VF=1.35V @25℃、1.55V @150℃。此次开发的第三代在25℃时的VF与第二代相同,均为1.35V,但150℃时的VF则成功降低至1.44V。这使得高温条件下的传导损耗能够进一步降低,从而提高效率。

世界最小的正向电压

一般情况下,当试图降低正向电压时,反向漏电流IR会增加。第三代SiC-SBD通过采用JBS结构成功攻克了该课题,降低正向电压的同时成功地将漏电流抑制在最低。与第二代相比,在额定电压650V、Tj=150℃时漏电流降低至约1/15

低漏电流特性

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