采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET,损耗更低。

采用第3代SiC-MOSFET,损耗更低

组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代,现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品。与此同时,SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。

BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron 10mΩ(typ)的、SiC-SBD内置型全SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。

3G

BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低,比ROHM现有的IGBT模块产品也低42%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。

3Geffi

全SiC功率模块的产品阵容扩充

下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外,采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了新产品。今后,ROHM将会继续扩充并完善产品阵容。

品名 绝对最大额定(Tj=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
封装 热敏电阻 内部电路图
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC1min.)
NEW
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
161115_img_01
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 20
NEW
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS)
180 10
NEW
BSM120C12P2C201
(2G.DMOS)
120 20 161115_img_02
NEW
BSM180D12P2E002
(2G.DMOS)
180 10 E
type
161115_img_03
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 7.3

由ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”功率模块

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