ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。
采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低
组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。
“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）的、SiC-SBD内置型全SiC功率模块。下图为与现有产品的关系示意图。
BSM180D12P3C007的开关损耗与IGBT模块相比大幅降低，比ROHM现有的IGBT模块产品也低42%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。
全SiC功率模块的产品阵容扩充
下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了新产品。今后，ROHM将会继续扩充并完善产品阵容。
| 品名 | 绝对最大额定(Tj=25°C) | RDS (ON) (mΩ) |
封装 | 热敏电阻 | 内部电路图 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDS (V) |
ID (A) (Tc= 60°C) |
Tj (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) (AC1min.) |
|||||
| NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS) |
1200 | 80 | -40 to +175 |
-40 to +125 |
2500 | 34 | C type |
无 |  |
| BSM120D12P2C005 (2G. DMOS) |
120 | 20 | |||||||
| NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS) |
180 | 10 | |||||||
| NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS) |
120 | 20 |  |
||||||
| NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS) |
180 | 10 | E type |
有 |  |
||||
| BSM300D12P2E001 (2G. DMOS) |
300 | 7.3 | |||||||
由ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”功率模块
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