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SiC功率元器件
SiC功率元器件
基础篇
SiC（碳化硅）功率元器件的基础
前言
何谓SiC（碳化硅）？
何谓碳化硅
SiC功率元器件的开发背景和优点
SiC肖特基势垒二极管
所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验
所谓SiC-MOSFET
所谓SiC-MOSFET－特征
所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较
所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别
与IGBT的区别
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
全SiC功率模块
所谓全SiC功率模块
全SiC功率模块的开关损耗
运用要点
栅极驱动 其1
栅极驱动 其2
应用要点
缓冲电容器
专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
支持工具
全SiC模块损耗模拟器
总结
总结
应用篇
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
前言
SiC MOSFET的桥式结构
SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
桥式电路的开关产生的电流和电压
低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作
低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
总结
SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法
什么是栅极－源极电压产生的浪涌？
浪涌抑制电路
正电压浪涌对策
负电压浪涌对策
浪涌抑制电路的电路板布局注意事项
总结
通过驱动器源极引脚改善开关损耗
通过驱动器源极引脚改善开关损耗
传统的MOSFET驱动方法
有驱动器源极引脚的封装
有无驱动器源极引脚的差异及其效果
驱动器源极引脚的效果
双脉冲测试比较
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
电路板布线布局相关的注意事项
SiC MOSFET栅-源电压测量
一般测量方法
探头的连接方法
测量位置的选择
探头头部的安装位置
在桥式结构中的注意事项 -探头的CMRR
－总结－
使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证
－前言－
第4代SiC MOSFET的特点
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
电路工作原理和损耗分析
DC-DC转换器实机验证
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV应用
装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估
使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —总结—
SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法
－前言－
漏极和源极之间产生的浪涌
缓冲电路的种类和选择
C缓冲电路的设计
RC缓冲电路的设计
放电型RCD缓冲电路的设计
非放电型RCD缓冲电路的设计
封装引起的浪涌差异
－总结－
SiC MOSFET：根据开关波形计算损耗的方法
SiC MOSFET：根据开关波形计算损耗的方法 ー前言ー
SiC MOSFET：开关波形的测量方法
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
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