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SiC功率元器件
SiC功率元器件
基础篇
SiC（碳化硅）功率元器件的基础
前言
何谓SiC（碳化硅）？
何谓碳化硅
SiC功率元器件的开发背景和优点
SiC肖特基势垒二极管
所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验
所谓SiC-MOSFET
所谓SiC-MOSFET－特征
所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较
所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别
与IGBT的区别
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
全SiC功率模块
所谓全SiC功率模块
全SiC功率模块的开关损耗
运用要点
栅极驱动 其1
栅极驱动 其2
应用要点
缓冲电容器
专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
支持工具
全SiC模块损耗模拟器
总结
总结
应用篇
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
前言
SiC MOSFET的桥式结构
SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
桥式电路的开关产生的电流和电压
低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作
低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
总结
SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法
什么是栅极－源极电压产生的浪涌？
浪涌抑制电路
正电压浪涌对策
负电压浪涌对策
浪涌抑制电路的电路板布局注意事项
总结
通过驱动器源极引脚改善开关损耗
通过驱动器源极引脚改善开关损耗
传统的MOSFET驱动方法
有驱动器源极引脚的封装
有无驱动器源极引脚的差异及其效果
驱动器源极引脚的效果
双脉冲测试比较
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：关断时
电路板布线布局相关的注意事项
SiC MOSFET栅-源电压测量
一般测量方法
探头的连接方法
测量位置的选择
探头头部的安装位置
在桥式结构中的注意事项 -探头的CMRR
－总结－
使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证
－前言－
第4代SiC MOSFET的特点
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
电路工作原理和损耗分析
DC-DC转换器实机验证
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV应用
装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估
使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —总结—
SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法
－前言－
漏极和源极之间产生的浪涌
缓冲电路的种类和选择
C缓冲电路的设计
RC缓冲电路的设计
放电型RCD缓冲电路的设计
非放电型RCD缓冲电路的设计
封装引起的浪涌差异
－总结－
SiC MOSFET：根据开关波形计算损耗的方法
SiC MOSFET：根据开关波形计算损耗的方法 ー前言ー
SiC MOSFET：开关波形的测量方法
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
基础知识
功率元器件
SiC功率元器件
Si功率元器件
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