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600V耐压 第二代超级结MOSFET

KN系列:
保持低噪声性能并可高速开关

关键词
  • 超级结MOSFET
  • 低噪声
  • 高速性能
  • Rg
  • Qgd
  • 开关损耗

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比,导通电阻和栅极电荷(Qg)显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声等特征,并已扩展为系列化产品,现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。

高速、低噪声 KN系列

KN系列是继承EN系列的低噪声性能,并改善了高速性能的系列。当然,依然保持低导通电阻。为提高开关速度,降低了RgQgd。这使开关损耗降低,而效率更高。在逆变器电路中的比较中,与EN系列相比,开关损耗降低达40%。

该系列的产品阵容如下。与EN系列一样,一款机型具有多种封装。

■60xxKNx系列:低噪声、高速、低开关损耗

机型名 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) 封装
☆ R6002KNx 600 1.7 2.8 4.5 TO252☆
R6004KNx 4 0.9 10 TO252☆/LPT/TO220FM
R6007KNx 7 0.57 14 TO252/LPT/TO220FM
R6009KNx 9 0.5 16 TO252☆/LPT/TO220FM
R6011KNx 11 0.34 22 TO252/LPT/TO220FM
R6015KNx 15 0.26 27 LPT/TO220FM/TO3PF
R6020KNx 20 0.17 39 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024KNx 24 0.15 47 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030KNx 30 0.115 57 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035KNx 35 0.095 74 TO3PF/TO247
☆ R6047KNx 47 0.07 97 TO247
R6076KNx 76 0.04 174 TO247

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 开发中

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