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业界最快trr“PrestoMOS”新产品阵容中的“R60xxMNx系列”

导通电阻和Qg更低,有助于实现更低功耗

关键词
  • PrestoMOS
  • R60xxMNx系列
  • Qg
  • 栅极总电荷量
  • 导通电阻
  • 开关损耗
  • 传导损耗
  • 超级结MOSFET
  • trr
  • 反向恢复时间
  • APF
  • 全年能效比
  • 逆变器电路
  • 电机驱动器电路
  • 再生电流
  • 换流损耗
  • FRD
  • 快速恢复二极管
  • IGBT

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低了开关损耗,促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能,还要进一步降低导通电阻Qg(栅极总电荷量)并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言,导通电阻和Qg存在权衡关系,但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势,实现了两者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商标。

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开关损耗和传导损耗更低

R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能,还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中,与使用IGBT的情况相比,轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF(全年能效比)来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。

20171128_graf_07

逆变器和电机驱动器电路无需FRD

如前所述,该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD(快速恢复二极管)。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。

20171128_graf_08

R60xxMNx系列

封装 用途 产品
名称
极性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD(W)
(Tc=25°C)
RDS(on)(Ω) Qg Typ.
(nC)
trr
(Typ.)
(ns)
驱动
电压
(V)
VGS=10V
Typ. Max VGS=10V
TO-252 开关 R6010MND3 N 600 10 143 0.28 0.38 20 80 10
R6008MND3 600 8 115 0.45 0.61 13.5 65
R6007MND3 600 7 95 0.54 0.73 10 60
TO-220FM R6030MNX 600 30 90 0.11 0.15 45 90
☆R6020MNX 600 20 72 0.19 0.25 30 85
TO-3PF R6047MNZ 600 47 102 0.06 0.081 70 105
TO-247 R6076MNZ1 600 76 740 0.04 0.055 115 135
R6047MNZ1 600 47 440 0.06 0.081 70 105

☆:开发中

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