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电源系统应用的损耗降低与小型的关键|SiC肖特基势垒二极管

SiC-SBD的产品阵容支持车载的650V/1200V、5A~40A

关键词
  • 碳化硅
  • SiC
  • 肖特基势垒二极管
  • SiC-SBD
  • 650V
  • 1200V
  • 1700V
  • 车载
  • AEC-Q101

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在拓展第二代SiC-SBD,并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。

当前的SiC-SBD

产品结构分为耐压为650V1200V、额定电流为5A~40A的产品,具体因封装而异。其概要如下表所示。

另外,ROHM正在开发650V产品可支持达100A,1200V产品可支持50A的裸芯片。而且在进行1700V高耐压产品的开发。

P16-2_table1

下表为机型名中符号的意义及当前供应中的产品阵容一览。此外,机型名的最后带有HR的表示为支持车载产品,符合AEC-Q101标准,已经在全球被EV及HEV的板上充电控制电路所采用。

P16-2_partn

机型名 峰值反向
电压 [V]
IF [A] PD [W] 封装 车载
SCS205KG 1200 5 88 TO-220AC2L  
SCS205KGHR 1200 5 88 TO-220AC
SCS206AG 650 6 51 TO-220AC2L  
SCS206AGHR 650 6 51 TO-220AC
SCS206AJ 650 6 48 TO-263AB  
SCS206AM 650 6 31 TO-220FM2L  
SCS208AG 650 8 68 TO-220AC2L  
SCS208AGHR 650 8 68 TO-220AC
SCS208AJ 650 8 62 TO-263AB  
SCS208AM 650 8 34 TO-220FM2L  
SCS210AG 650 10 78 TO-220AC2L  
SCS210AGHR 650 10 78 TO-220AC
SCS210AJ 650 10 83 TO-263AB  
SCS210AM 650 10 34 TO-220FM2L  
SCS210KE2 1200 10 170 TO-247  
SCS210KE2HR 1200 10 170 TO-247
SCS210KG 1200 10 150 TO-220AC2L  
SCS210KGHR 1200 10 150 TO-220AC
SCS212AG 650 12 93 TO-220AC2L  
SCS212AGHR 650 12 93 TO-220AC2L
SCS212AJ 650 12 88 TO-263AB  
SCS212AM 650 12 37 TO-220FM2L  
SCS215AE 650 15 110 TO-247  
SCS215AG 650 15 110 TO-220AC2L  
SCS215AGHR 650 15 110 TO-220AC
SCS215AJ 650 15 110 TO-263AB  
SCS215AM 650 15 39 TO-220FM2L  
SCS215KG 1200 15 180 TO-220AC2L  
SCS215KGHR 1200 15 180 TO-220AC
SCS220AE 650 20 130 TO-247  
SCS220AE2 650 20 160 TO-247  
SCS220AE2HR 650 20 160 TO-247
SCS220AG 650 20 130 TO-220AC2L  
SCS220AGHR 650 20 130 TO-220AC
SCS220AJ 650 20 100 TO-263AB  
SCS220AM 650 20 40 TO-220FM2L  
SCS220KE2 1200 20 280 TO-247  
SCS220KE2HR 1200 20 280 TO-247
SCS220KG 1200 20 210 TO-220AC2L  
SCS220KGHR 1200 20 210 TO-220AC
SCS230AE2 650 30 230 TO-247  
SCS230AE2HR 650 30 230 TO-247
SCS230KE2 1200 30 360 TO-247
SCS240AE2 650 40 270 TO-247  
SCS240AE2HR 650 40 270 TO-247
SCS240KE2 1200 40 420 TO-247  

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