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SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET

实现工业设备的辅助电源应用要求的高耐压与低损耗

关键词
  • SiC-MOSFET
  • 1700V
  • 工业设备
  • 辅助电源
  • 导通电阻
  • 发热
  • 散热器
  • 小型化

ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥其性能的控制元器件的开发。

工业设备辅助电源的课题是减少发热

在变频器等高电压工业设备,不仅具备驱动电机等的主电源,还同时具备控制器和其他系统驱动用的辅助电源。尤其是在工业设备中使用时,输入电压高,辅助电源中广泛使用耐压1000V以上的Si-MOSFET。

然而,超过1000V的高耐压Si-MOSFET的导通电阻大,必须处理导通损耗带来的发热问题。

SCT2H12NZ就是为解决这类工业设备辅助电源的课题而开发的。

新产品的应用示意图

导通电阻降低到Si-MOSFET的1/8

这是与工业设备辅助电源中广泛使用的1500V耐压Si-MOSFET的比较例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐压更高,达1700V,导通电阻仅为Si-MOSFET(9Ω)的1/8(1.15Ω)。由此,可大幅降低损耗、即可大幅减少发热,有些条件下还可实现散热器的小型化。

此外,封装采用TO-3PFM,可确保工业设备要求的绝缘相应的爬电距离。同样确保所需爬电距离的表面贴装型TO-268-2L封装产品也正在开发中。通过采用表面贴装型封装,可使用自动安装设备进行组装。

以下是此次开发的产品阵容。

导通电阻

heatsink

1700V SiC-MOSFET产品阵容

品名 封装 极性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY TO-268-2L 4A 44W
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:开发中

SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET

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