全球首创!内置1700V SiC MOS的AC/DC转换器IC : 有助于交流400V工业设备用电源的显著小型化、节能化及高效化

BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC在全球尚属首创*,通过内置SiC MOSFET,不再需要分立结构部分的设计,可更轻松地开发更节能的AC/DC转换器。*截至2019年4月ROHM调查数据

BM2SCQ12xT-LBZ

采用SiC MOSFET的好处

在高耐压范围中,SiC MOSFET与Si-MOSFET相比,具有开关损耗和传导损耗小、可支持大功率、耐温度变化等优势。这些在Tech Web的“SiC功率元器件:基础知识”中也有介绍。基于这些优势,在AC/DC转换器和DC/DC转换器等功率转换应用中,SiC-MOSFET可带来更高的功率转换效率、散热器件的小型化、高频工作使电感更小等好处,具有更节能、部件数量更少、安装面积更小等效果

尤其是在交流400V工业设备中,这些优势促进了SiC功率半导体的进一步普及。除主要的电源电路外,还可以促进亟需节能化的各种控制系统用辅助电源的高效化和小型化。

SiC MOSFET内置型AC/DC转换器IC“BM2SCQ12xT-LBZ”的特点

BM2SCQ12xT-LBZ采用专为内置SiC MOSFET而开发的专用封装,并集成了专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等控制电路和1700V耐压SiC MOSFET。以下特点非常有助于工业设备的小型化、节能化及可靠性提升

新产品应用示意图电路、交流400V级工业设备用新产品解决方案

1. 将散热板和多达12种产品一体化封装,大大削减了部件数量,实现了小型化

相比采用Si-MOSFET的普通分立结构,BM2SCQ12xT-LBZ采用一体化封装,1个封装内包含多达12种产品(AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6)和散热板。

不仅可大幅削减部件数量,同时,还可使用更小型的部件,有助于电源电路的小型化。另外,由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点,还可实现降噪部件的小型化。

普通产品/BM2SCQ12xT-LBZ解决方案

2. 缩短开发周期并降低故障率,内置必要的保护功能

通过将以往的分立结构采用一体化封装,可缩减各部件和SiC MOSFET的选型、评估、设计等开发周期,部件数量更少,使可靠性更高。此外,除了通过内置SiC MOSFET而实现的高精度过热保护功能外,还配备了过负载保护、电源引脚的过电压保护、过电流保护、二次侧电压的过电压保护等各种保护功能

3. 激发出SiC MOSFET的性能,节能效果显著

最适合SiC MOSFET驱动用的内部栅极驱动电路,可最大限度地激发出SiC MOSFET的性能。与采用Si-MOSFET的普通产品相比,效率提升高达5%(截至2018年4月ROHM调查数据)。

另外,控制方式采用与普通的PWM方式相比运行噪声低、效率高的准谐振方式,不仅效率更高,还可最大限度地降低噪声的影响。

AC/DC转换器中的Si和SiC效率对比

<产品阵容>

产品型号 电源电压
范围
正常时
工作电流
猝发模式时
工作电流
最大工作
频率
FB OLP VCCOVP 工作温度
范围
BM2SCQ121T-LBZ VCC:
15.0V

27.5V
DRAIN:
1700V (Max.)
2000μA (Typ.) 500μA (Typ.) 120kHz (Typ.) Auto
Restart
Latch -40℃

105℃
BM2SCQ122T-LBZ Latch Latch
BM2SCQ123T-LBZ Auto
Restart
Auto
Restart
BM2SCQ124T-LBZ Latch Auto
Restart

这些产品均可通过网售平台购买。另外,评估板也将于2019年夏季发售。

此外,已经推出的未内置SiC MOSFET的控制器型“BD7682FJ-LB”也在供应中,其设计案例在Tech Web基础知识AC/DC设计篇“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”中有介绍,请一并参阅。

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