与SiC用AC/DC转换器控制IC组合,效率显著提高

ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备1700V高耐压,还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外,与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合,还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件,还促进充分发挥其性能的控制元器件的开发。

最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能,需要优化栅极驱动器

最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能,需要优化SiC-MOSFET的驱动、即栅极驱动器。ROHM为了实现谁都可以轻松设计使用SiC-MOSFET的电源,不仅发力SiC-MOSFET的开发,还推进控制元器件的开发。“BD7682FJ-LB”是以将SiC-MOSFET用于功率开关为前提开发的反激式转换器控制IC。

准谐振控制软开关的低EMI工作,突发模式下的轻负载时低消耗电流工作,具备各种保护功能的最尖端功能组成,且搭载为SiC-MOSFET驱动而优化的栅极箝位电路。另外,是工业设备用的产品,因此支持长期供应保证(-LB)。

<BD7682FJ-LB>

  • 准谐振方式(低EMI)
  • SiC-MOSFET驱动栅极箝位电路
  • 工作电源电压范围(VCC):15.0V~27.5V
  • 轻负载时突发脉冲工作、降频功能
  • 工作电流:0.80mA(typ.)、
       突发时 0.50mA(typ.)
  • 待机时低消耗电流:19µA
  • 最大振荡频率:120kHz(typ.)
  • 工作温度范围:-40℃~105℃
  • SOP-J8 封装
       (6.0×4.9mm,1.27mm 间距)
  • 保护VCC UVLO,VCC OVP,
       各周期的过电流保护,
       ZT触发器屏蔽功能,ZT OVP,欠压保护
  • 面向工业设备长期供应保证
面向工业设备长期供应保证

BD7682FJ-LB框图及应用电路例
(点击放大)

与Si-MOSFET解决方案相比,效率改善6%

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB组成的AC/DC转换器与采用Si-MOSFET的电路比较中,确认效率改善达6%(在ROHM制造的参考板上的比较)。同时还可减少发热,因此电路也可小型化。下面是评估板与效率比较数据。

评估用电源PCB板
ACDC效率比较

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB的评估板已作为“BD7682FJ-LB-EVK-402”在网上销售,因此可立即进行使用优化SiC-MOSFET的反激式转换器的评估。ROHM除该反激式转换器评估板之外,还备有全SiC模块的栅极驱动器评估板等。与以往的Si元器件相比具有优异特性的SiC-MOSFET,工作电路也需要优化,全部从没有参考的状态进行评估是非常艰苦而细致的工作。总之,希建议望尝试运行SiC元器件的各位、希望提高开发效率的各位使用我公司的评估板。请参考ROHM官网的“SiC支持页面”。

SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET

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    实现工业设备的辅助电源应用要求的高耐压与低损耗

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