电源设计相关的罗姆产品信息。
电源IC
阵容丰富，拥有通用三引脚、低功耗、大电流、高耐压等约900款产品，支持手机、车载、家电、消费电子、工业设备等各种电源电路。
拥有FET内置型(降压型/升压型/升降压型)、FET外置型 (降压型/升压型/升降压型)、单通道型～系统电源型等丰富的DC/DC转换器产品阵容。有助于进一步提高CPU和FPGA用电源、便携设备、车载、消费电子、工业设备等的效率。
功率元器件
兼备VF、低IR、高静电耐压的功率肖特基势垒二极管阵容。在电池控制、电源、包括EV/HV在内的车载等应用中具备低损耗、高可靠性特点。
快速恢复二极管有助于大幅提高开关电源的效率，降低损耗。在照明、空调、液晶电视和工业模块等PFC（力率改善）应用中，在DCM（连续模式）以及BCM（临界模式）中发挥优异特性。
凭借独特的SJ（超级结）MOSFET、具备优越的高速开关、低阻抗特点，面向广泛的应用备有产品阵容。用于车载的产品符合车载等级AEC-Q101标准。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。SiC肖特基势垒二极管可以降低开关损失。在高速开关电源的PFC电路中具有很好的表现。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。SiC MOSFET因为开关时的差动放大电流原则上是没有的，所以可以高速运作，开关损失降低。小尺寸芯片的导通电阻低，所以实现低容量、低门极消耗。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。SiC功率模块与Si(硅)材质的IGBT模块相比，可大幅降低开关损耗。使开关损失小，在高频环境下特别有利。
SiC肖特基势垒二极管可以降低开关损失。在高速开关电源的PFC电路中具有很好的表现。
SiC MOSFET因为开关时的差动放大电流原则上是没有的，所以可以高速运作，开关损失降低。小尺寸芯片的导通电阻低，所以实现低容量、低门极消耗。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）面向广泛的高电压、大电流应用，为高效率化和节能化作贡献。通过独特的沟槽栅、薄晶圆技术，实现低VCE(sat）和低开关损耗。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）面向广泛的高电压、大电流应用，为高效率化和节能化作贡献。兼顾低VCE(sat)和高雪崩耐性，适用于车载点火用途，是高可靠性产品。
IGBT-IPM（智能功率模块）是集IGBT和优秀驱动电路、保护功能于一体的模块。可以提高机器效率、简化设计。根据应用的开关频率选择对应产品。
MOS-IPM（智能功率模块）是使用了独有的PrestoMOS的高效模块。相比IGBT产品，可以大幅降低空调应用中的定常运转损失。
电机
可用H桥驱动的有刷电机，内置逆转模式的可逆转驱动器。
作为高效率、高可靠性驱动器，从低耐压到大电流，拥有丰富的电压、电流、封装阵容，并拥有引脚兼容产品。
在脉冲电机中，支持从单极替换为双极、且支持CLK-IN和PARA-IN驱动的高效率、高可靠性驱动器。拥有丰富的适用于不同的电压、电流、接口的阵容，并拥有引脚兼容产品。
支持无传感器或带传感器的主轴电机、步进电机、执行器、负载电机等各种电机。作为用来驱动光盘等的高效率、高可靠性电机驱动器，支持从PC到汽车音响的广泛应用。
可利用大功率高效率MOSFET输出驱动和软开关驱动降低电磁噪声，并内置各种保护电路。支持PC、普通消费电子设备、通信、工业设备用风扇等广泛的应用。
以正弦波驱动的三相无刷电机驱动器为核心，融入了DC电机、步进电机、电源等各种技术。作为高效率、高可靠性打印机用驱动器，可用于多棱镜电机、电源无刷电机驱动器、预驱动器、喷墨打印机等广泛应用。
支持微型相机和单反相机等要求的各种规格。拥有以小型封装为主的丰富产品阵容，包括可同时驱动DC电机和音圈电动机的多通道驱动器，大电流、高耐压、高速开关型单通道驱动器。
支持各种执行器和便携相机要求的各种规格。拥有小型、低功耗、高速、低噪声驱动的系列产品。
