SiC MOSFET:各种波形的开关损耗计算示例:情况1:ID上升、VDS上升波形(附录A)

在本文中,我们根据开关波形的漏-源电压VDS和漏极电流ID,使用线性近似方式计算开通时和关断时的功率损耗(开关损耗)。图A-1是用于损耗计算的波形。

スイッチング損失計算:ID上昇、VDS上昇波形時。期間0-t1のID(t)とVDS(t)

图A-1中0- t1期间的功率损耗P,通常可以通过对公式(A-1)中的电流和电压之积进行积分来计算:


但是,f:开关频率 [Hz]

另外,ID(t)和VDS(t)可根据图A-1中的斜率,用公式(A-2)和公式(A-3)来表示:

将公式(A-2)和公式(A-3)代入公式(A-1):

根据公式进行积分:


但是,f:开关频率 [Hz]

求下列条件下的功率损耗:

将公式(A-10)代入公式(A-9):

将公式(A-14)代入公式(A-9):

【资料下载】SiC功率元器件基础

本资料介绍了SiC的物理性质和优点,并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同,还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。

SiC MOSFET:各种波形的开关损耗计算示例

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