本文的关键要点
・SiC MOSFET的封装类型不同，在漏极和源极之间产生的浪涌也不同。
・与TO-247N相比，TO-247-4L通过改变驱动电路的路线加快了开关速度，因此浪涌通常更大。
本文将介绍“SiC MOSFET的封装不同，在漏极和源极之间产生的关断浪涌也不同”相关的内容，这也是在设计之前需要掌握的知识。
SiC MOSFET：封装引起的浪涌差异
下面通过一个案例来介绍因SiC MOSFET的封装不同而导致的浪涌差异。
图11是SiC MOSFET的典型封装。(a)是被广泛使用的TO-247N封装（3个引脚）；(b)是近年来应用逐渐增加、配有驱动电路用源极引脚（所谓的“开尔文连接”）的TO-247-4L封装（4个引脚）。
与(a)TO-247N相比，(b)TO-247-4L是通过改变驱动电路的路径加快了开关速度的封装。因此，其导通时的浪涌和关断浪涌往往比(a)中的更大。
图12是这两种封装产品的关断浪涌比较波形。测试电路与“非放电型RCD缓冲电路的设计”中图9(a)的电路相同。这是VDS＝800V、RG_EXT＝3.3Ω、ID＝65A时的关断波形。(a)TO-247N（3L，蓝线）的漏极-源极间浪涌为957V，而(b)TO-247-4L（4L，红线）的则高达1210V。
如“非放电型RCD缓冲电路的设计”的图7和图8所示，由该浪涌引起的VDS振铃不仅会流过CDS，还会流过CDG和CGS，这可能会导致MOSFET的栅-源电压VGS产生意外浪涌，有时可能会超过VGS的浪涌限值。对此，我们已经在Tech Web基础知识的“SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法”和另外的应用指南（*2）中详细介绍了VGS浪涌的抑制方法，如果仅凭这些措施浪涌抑制效果还不够，那么可以考虑通过在漏极和源极之间增加缓冲电路来抑制浪涌。
*2：“栅极-源极电压的浪涌抑制方法”应用指南（No. 62AN009J Rev.002）ROHM Co., Ltd.，2020年4月
【资料下载】SiC功率元器件基础
本资料介绍了SiC的物理性质和优点，并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同，还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。
