本文的关键要点
・介绍利用“通过实测波形的线性近似分割来计算损耗的示例”中未使用的公式进行计算的方法。
・本文的示例是通过线性近似分割方式计算9种情况下的开关损耗。
SiC MOSFET：各种波形的开关损耗计算示例
在上一篇文章“根据测得波形计算功率损耗示例”中，作为示例，我们将实测波形在线性近似有效范围内进行分割，并使用“通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法”中相应的公式，计算了开关损耗和导通损耗，并计算了总损耗。
从本文开始，我们将利用“通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法”的表1中给出的所有基于线性近似分割来计算开关损耗的公式，计算1～9种情况（附录A～I）下的开关损耗（示例）。对于使用“根据测得波形计算功率损耗示例”中没有的公式计算开关损耗的情况，请参考下面的链接。另外，使用表2所示的线性近似分割方法来计算导通损耗的公式进行计算的示例，会另行发布，届时请一并参阅。
开关波形的测量方法
通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
根据测得波形计算功率损耗示例
各种波形的开关损耗计算示例
情况1：ID上升、VDS上升波形（附录A）
情况2：ID上升、VDS恒定波形（附录B）
情况3：ID上升、VDS下降波形（附录C）
情况4：ID恒定、VDS上升波形（附录D）
情况5：ID恒定、VDS恒定波形（附录E）
情况6：ID恒定、VDS下降波形（附录F）
情况7：ID下降、VDS上升波形（附录G）
情况8：ID下降、VDS恒定波形（附录H）
情况9：ID下降、VDS下降波形（附录I）
各种波形的导通损耗计算示例
【资料下载】SiC功率元器件基础
本资料介绍了SiC的物理性质和优点，并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同，还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。
