本文将为您介绍第4代SiC MOSFET的特点，这也是介绍ROHM第4代SiC MOSFET应用效果的必要前提。

• 第4代SiC MOSFET的特点
• 在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
  > 电路工作原理和损耗分析
  > DC-DC转换器实机验证
• 在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
  > EV应用
  > 装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
  > 图腾柱PFC实机评估

第4代SiC MOSFET的特点

ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。

改善了短路耐受时间并实现了更低导通电阻

第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构，改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间，与第3代SiC MOSFET相比，导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低*级别的导通电阻。
*截至2022年2月 ROHM调查数据

大幅降低寄生电容，开关损耗更低

通过大幅降低栅-漏电容（C_GD），成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。

支持15V栅-源电压驱动，使应用产品的设计更容易

第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压V_GS降至15V。到第3代SiC MOSFET时，栅-源电压V_GS为18V，而第4代则支持15V驱动，这将使应用产品的设计更加容易。