SiC MOSFET:缓冲电路的设计方法

C缓冲电路的设计

本文的关键要点

・CSNB越大,C缓冲电路的浪涌抑制效果越好。

・但是,需要注意的是,缓冲电路中形成的LSNB需要低于LMAIN,关于LSNB,还需要考虑电容器的ESL。

从本文开始,将逐一为大家介绍上一篇文章中提到的各种缓冲电路的设计方法。本文介绍C缓冲电路的设计方法。

SiC MOSFET:C缓冲电路的设计

图6所示的C缓冲电路是通过CSNB吸收LMAIN积蓄的能量的。因此,缓冲电路中形成的LSNB需要低于LMAIN。CSNB中积蓄的能量基本上不会被释放(放电),因此电容量越大,浪涌抑制效果越好,但关于LSNB,还需要考虑所用电容器的等效串联电感(ESL)。

通常ESL会随着电容器尺寸的增大而增大,因此在选择电容量时需要注意这一点。假设LMAIN中积蓄的能量全部被CSNB吸收,那么可以根据公式(2)计算得出的电容量来选择电容器。

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