SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法 —总结—

本文是“SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的最后一篇。至此,我们已经介绍过了SiC MOSFET的栅极-源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板布局注意事项。
桥式结构SiC MOSFET的栅极信号,由于工作时MOSFET之间的动作相互关联,因此导致SiC MOSFET的栅-源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制电路外,电路板的版图布局也很重要。希望您根据具体情况,参考本系列文章中介绍的抑制方法,采取适合的措施。
最后,作为总结,在下面汇总了每篇文章的链接和关键重点。

什么是栅极-源极电压产生的浪涌?

本文的关键要点

・近年来,SiC MOSFET被越来越多地用于电源和电力线路中的开关应用,其工作速度非常快,快到已经无法忽略由于其自身封装电感和外围电路布线电感带来的影响。

・因此,特别是可能会在栅极-源极间电压中产生意外的浪涌,需要对此采取对策。

浪涌抑制电路

本文的关键要点

・在开关侧和非开关侧均会出现栅极-源极电压(VGS)的正浪涌,但是尤其会造成问题的是SiC功率元器件LS导通时在非开关侧(HS)出现的正浪涌。

・由于应用SiC功率元器件时,基本都需要包括其他浪涌在内的浪涌抑制对策,因此需要增加浪涌抑制电路。

正电压浪涌对策

本文的关键要点

・通过采取措施防止栅极-源极间电压的正电压浪涌,来防止LS导通时的HS误导通。

・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。

・如果栅极驱动IC没有控制功能,则很难通过米勒钳位进行抑制。

・作为米勒钳位的替代方案,可以通过增加误导通抑制电容器来处理。

负电压浪涌对策

本文的关键要点

・通过采取措施防止栅极-源极间电压的负电压浪涌,来防止LS导通时的HS误导通。

・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。

・如果栅极驱动IC没有控制功能,则很难通过米勒钳位进行抑制。

・作为米勒钳位的代替方案,通过结合使用钳位肖特基势垒二极管和误导通抑制电容器,与正浪涌之间取得平衡,从而达到优化的目的。

浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

本文的关键要点

・浪涌抑制电路的电路板布局要考虑大电流高速开关的情况。

・尽量将寄生电容、电感、电阻控制得更低。

・尽量减少回流线环路,以便有效地控制EMI(电磁干扰)。

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    总结

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