通过驱动器源极引脚改善开关损耗

MOSFET和IGBT等功率开关器件被广泛应用于各种功率转换应用中。需要尽可能地降低MOSFET和IGBT等开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。
近年来,出现了一种可以改善损耗的方法,那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”系列文章中,将为您介绍功率开关产品封装具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。

【资料下载】了解碳化硅功率元器件及其应用案例

介绍了在电源产品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潜力的碳化硅(SiC)的基本物理特性,以及SiC二极管和晶体管的使用方法及其应用案例。

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