使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证

在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果

本文的关键要点

・为了介绍在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果,将对工作原理和损耗分析进行讲解,并通过实机验证来证实效果。

在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果

从本文开始,将为大家介绍在常规的降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果。

在“电路工作原理和损耗分析”中,将介绍开关损耗、传导损耗、体二极管损耗、反向恢复损耗等损耗的发生机制。接下来,在“DC-DC转换器实机验证”中,将通过使用评估板进行的实机验证来展示使用第4代SiC MOSFET时的效率提升效果。

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介绍了在电源产品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潜力的碳化硅(SiC)的基本物理特性,以及SiC二极管和晶体管的使用方法及其应用案例。

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    —前言—

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