本文的关键要点
・RC缓冲电路需要考虑到功耗PSNB来求出CSNB和RSNB，并将其谐振角频率ωSNB设置得充分高于浪涌的谐振角频率ωSURGE。
继上一篇C缓冲电路的内容之后，本文将为大家介绍RC缓冲电路的设计。
SiC MOSFET：RC缓冲电路的设计
图7表示RC缓冲电路工作时的电流路径。按照与“C缓冲电路的设计”中相同的公式(2)来确定CSNB。RSNB的参考值可通过下面的公式(3)求得。
fSW：开关频率
VSNB：放电缓冲电压（VDS_SURGE的0.9倍）
确定RSNB后，利用公式(4)计算RSNB消耗的功率PSNB，然后选择能够容许该损耗的电阻器。
在RC缓冲电路中，增加了公式(4)中的第二项，fSW或VHVDC越高，RSNB消耗的功率就越大，因此，当PSNB很大、电阻器选型困难时，需要降低CSNB的电容值并重新计算。
另外，要想使RC缓冲电路能够充分吸收浪涌，RSNB和CSNB的谐振角频率ωSNB必须充分高于浪涌的谐振角频率ωSURGE，所以需要确认公式(5)中的RC缓冲电路的谐振角频率ωSNB。
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