在本系列之前的文章中，我们以使用了SiC MOSFET的桥式电路为例，介绍了有关栅-源电压测量的注意事项。下面汇总了准确测量栅-源电压所要注意的事项。
- 在安装探头时，应使探头头部形成的环路尽可能小。
- 选择SiC MOSFET的测量位置时，应选择与SiC MOSFET测量引脚之间形成的环路尽可能小的位置。
- 探头头部应安装在受主电路磁通量变化影响最小的位置。
通过本次验证，我们得出的结论是：使用“延长线+阻尼电阻”在器件引脚正下方测量，可以观测到最接近原始波形的波形。但是，在实际操作时还需要根据不同的电路结构和布线情况来找到最佳的方案，可以参考本次的验证结果具体情况具体决定。
【资料下载】了解碳化硅功率元器件及其应用案例
介绍了在电源产品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潜力的碳化硅（SiC）的基本物理特性，以及SiC二极管和晶体管的使用方法及其应用案例。
