SiC MOSFET:缓冲电路的设计方法 —前言—

本文的关键要点

・近年来,SiC MOSFET因其能够高速开关工作而被广泛用于各种功率转换应用。

・但是,高速工作会在漏极和源极之间产生较大浪涌,需要采取措施抑制这种浪涌。

・缓冲电路是抑制浪涌的方法之一。

SiC MOSFET:缓冲电路的设计方法 —前言—

近年来,SiC MOSFET作为一种开关器件,被广泛用于各种电源应用和电源线路中。之所以得以快速普及,原因之一是与传统功率半导体相比,它支持高速开关工作。然而,由于开关时电压和电流急剧变化,器件本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响已经不容忽视,最终导致漏极和源极之间会产生较大的浪涌。需要确保这种浪涌不超过所用SiC MOSFET的最大额定值,有多种抑制浪涌的方法可以达到这个目的,其中之一便是添加缓冲电路。

在本系列文章中,我们将为您介绍如何设计缓冲电路。

【资料下载】了解碳化硅功率元器件及其应用案例

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