本文的关键要点
・近年来，SiC MOSFET因其能够高速开关工作而被广泛用于各种功率转换应用。
・但是，高速工作会在漏极和源极之间产生较大浪涌，需要采取措施抑制这种浪涌。
・缓冲电路是抑制浪涌的方法之一。
SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法 —前言—
近年来，SiC MOSFET作为一种开关器件，被广泛用于各种电源应用和电源线路中。之所以得以快速普及，原因之一是与传统功率半导体相比，它支持高速开关工作。然而，由于开关时电压和电流急剧变化，器件本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响已经不容忽视，最终导致漏极和源极之间会产生较大的浪涌。需要确保这种浪涌不超过所用SiC MOSFET的最大额定值，有多种抑制浪涌的方法可以达到这个目的，其中之一便是添加缓冲电路。
在本系列文章中，我们将为您介绍如何设计缓冲电路。
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