SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法

SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法 ー前言ー

本文的关键要点

・本系列文章将介绍通过线性近似法分割波形并使用近似公式来计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET损耗的方法。

在“SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法”系列文章中,将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割,并使用近似公式计算功率损耗的方法。

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本资料介绍了SiC的物理性质和优点,并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同,还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。

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