放电型RCD缓冲电路的设计

・放电型RCD缓冲电路的设计与RC缓冲电路的设计基本相同。

・但是，由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。

・需要选择反向恢复电流小的二极管。

本文将介绍第三种缓冲电路“放电型RCD缓冲电路”的设计。

SiC MOSFET：放电型RCD缓冲电路的设计

放电型RCD缓冲电路的设计与上一篇文章中的RC缓冲电路的设计基本相同，但由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。

但是，如果所使用的二极管的反向恢复电流较大，则在高频工作时二极管的损耗也会比较大，因此要想减少缓冲电路的损耗，就需要选择反向恢复电流尽可能小的二极管。

另外，由于吸收浪涌时的电流变化较大，所以还需要考虑尽量减小缓冲电路中的布线电感。

本资料解释了SiC的物理性质和特点，通过与Si元器件进行比较来具体解释SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点以及用途的差异。同时还包含对全SiC功率模块各种优势的详细说明。