放电型RCD缓冲电路的设计

本文的关键要点

・放电型RCD缓冲电路的设计与RC缓冲电路的设计基本相同。

・但是,由于浪涌被二极管吸收,因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。

・需要选择反向恢复电流小的二极管。

本文将介绍第三种缓冲电路“放电型RCD缓冲电路”的设计。

SiC MOSFET:放电型RCD缓冲电路的设计

放电型RCD缓冲电路的设计与上一篇文章中的RC缓冲电路的设计基本相同,但由于浪涌被二极管吸收,因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。

但是,如果所使用的二极管的反向恢复电流较大,则在高频工作时二极管的损耗也会比较大,因此要想减少缓冲电路的损耗,就需要选择反向恢复电流尽可能小的二极管。

另外,由于吸收浪涌时的电流变化较大,所以还需要考虑尽量减小缓冲电路中的布线电感。

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放电型RCD缓冲电路的设计

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