在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。

但是，具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，栅-源电压的行为不同，要想正确实施栅-源电压的浪涌对策，需要了解电压的行为。

从本文开始，将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时

下面将围绕与没有驱动器源极引脚的TO-247N封装MOSFET之间的不同点，对桥式结构中LS侧（低边）的MOSFET导通时的动作进行说明。

下图为导通时的各开关波形，左侧为不带驱动器源极引脚的TO-247N封装产品，右侧为带驱动器源极引脚的TO-247-4L封装产品。各横轴表示时间，时间范围Tk（k＝7、8、1-3）的定义在波形图下方有述。右下方的电路图中给出了TO-247-4L封装产品在桥式电路中的栅极引脚电流情况。在波形图和电路图中，用（I）～（III）来表示每个时间范围中发生的事件。事件（III）在T2期间结束后立即发生。

在桥式结构中LS侧SiC MOSFET导通时的各开关波形

在波形图比较中，TO-247-4L的事件（I）与TO-247N的事件（I）明显不同，在非开关侧（HS）的V_GS观察到正浪涌（TO-247N为负浪涌）。这是由栅极引脚电流图中（I）的电流I_CGD引起的（HS侧，绿线）。该电流会流过栅-漏电容C_GD。

之所以会流过该电流，是因为在开关工作之前，换流电流I_{D_HS}在HS侧SiC MOSFET的体二极管中从源极流向漏极，但是当之后的开关动作开始时，开关侧（LS ）的电流I_{D_LS}首先逐渐增加，因此I_{D_HS}逐渐减少。另一方面，SiC MOSFET的体二极管的正向电压V_{F_HS}（TO-247-4L波形图的虚线圆圈部分）具有较大的电流依赖性，所以，随着开关速度的增加，dI_{D_HS}/dt会增大，dV_{F_HS}/dt会增大，dV_{F_HS}/dt最终也是换流侧SiC MOSFET的dV_{DS_HS}/dt，因此I_CGD从漏极引脚通过C_GD流向栅极引脚，导致栅-源电压升高。在以往的TO-247N封装中，I_{D_LS}的变化缓慢，可以认为事件（I）的I_CGD几乎未流动。

关于TO-247N导通动作的详细介绍，请参考本文开头提到的Tech Web SiC功率元器件基础知识中的文章“低边开关关断时的Gate-Source间电压的动作”或应用指南中的“导通时栅极信号的动作”。

在下一篇文章中，我们将介绍低边SiC MOSFET关断时SiC MOSFET栅-源电压的行为。