在本文中，我们将使用上一篇文章中介绍过的“通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法”，根据所测得的波形来计算功率损耗（示例）。

• 开关波形的测量方法
• 通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
• 根据测得波形计算功率损耗示例
• 各种波形的开关损耗计算示例
• 各种波形的导通损耗计算示例

SiC MOSFET：根据测得波形计算功率损耗示例

下面我们通过示例，来根据实际测得的开关波形计算功率损耗。图5是实测的开关波形，显示了反复进行ON/OFF时的整体情况。上面的波形图为I_D波形，下面的波形图为V_DS波形。下面我们根据该波形，来分别计算开通（开关接通）时、导通时（导通状态）和关断（开关关闭）时的损耗。

开通时的损耗计算

图6是图5中开通时的波形放大图，需要使用I_D（上）和V_DS（下）来计算损耗。由于在波形过程中的斜率发生了变化，因此需要按相同的斜率来分割区间，但由于波形很复杂，因此区间分割是主观的。读取每个区间的起始电压和电流、终止电压和电流以及时间。

将值代入“通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法”中的表1中列出的公式（A），求出功率损耗。在这之后我们都将按照表1中给出的公式进行计算，所以请您参考表1阅读下面的内容。图6右侧是开关开通时的功率损耗计算示例。在这里将分割的区间命名为t1～t5。

如最后一个公式P_ton所示，开通时的损耗是分割区间t1～t5损耗的总和。

导通时的损耗计算

图7是导通时的放大波形。导通时的损耗计算也是一样，通过将值带入“通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法”中的表2中的公式（E）来计算。关于SiC MOSFET的导通电阻，需要使用技术规格书中给出的最大值。

关断时的损耗计算

图8是关断时的波形放大图。关断时的损耗计算方法与开通时的相同，将值代入表1中的公式（A）来计算。在这里将分割的区间命名为t1～t8。图中给出了关断时每个区间的损耗计算结果以及关断时的损耗（P_toff＝各区间的损耗之和）。

总功率损耗的计算

总功率损耗可以通过下面的公式计算。如公式所示，总功率损耗是上面求得的开通损耗、导通损耗和关断损耗之和。

【资料下载】SiC功率元器件基础

本资料介绍了SiC的物理性质和优点，并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同，还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。

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