继上一篇C缓冲电路的内容之后，本文将为大家介绍RC缓冲电路的设计。

• 漏极和源极之间产生的浪涌
• 缓冲电路的种类和选择
• C缓冲电路的设计
• RC缓冲电路的设计
• 放电型RCD缓冲电路的设计
• 非放电型RCD缓冲电路的设计
• 封装引起的浪涌差异

SiC MOSFET：RC缓冲电路的设计

图7表示RC缓冲电路工作时的电流路径。按照与“C缓冲电路的设计”中相同的公式(2)来确定C_SNB。R_SNB的参考值可通过下面的公式(3)求得。

  f_SW：开关频率
V_SNB：放电缓冲电压（VDS_SURGE的0.9倍）

确定RSNB后，利用公式(4)计算R_SNB消耗的功率P_SNB，然后选择能够容许该损耗的电阻器。

在RC缓冲电路中，增加了公式(4)中的第二项，f_SW或V_HVDC越高，R_SNB消耗的功率就越大，因此，当P_SNB很大、电阻器选型困难时，需要降低C_SNB的电容值并重新计算。

另外，要想使RC缓冲电路能够充分吸收浪涌，R_SNB和C_SNB的谐振角频率ωSNB必须充分高于浪涌的谐振角频率ω_SURGE，所以需要确认公式(5)中的RC缓冲电路的谐振角频率ω_SNB。

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