本文的关键要点
・放电型RCD缓冲电路的设计与RC缓冲电路的设计基本相同。
・但是，由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。
・需要选择反向恢复电流小的二极管。
本文将介绍第三种缓冲电路“放电型RCD缓冲电路”的设计。
- 漏极和源极之间产生的浪涌
- 缓冲电路的种类和选择
- C缓冲电路的设计
- RC缓冲电路的设计
- 放电型RCD缓冲电路的设计
- 非放电型RCD缓冲电路的设计
- 封装引起的浪涌差异
SiC MOSFET：放电型RCD缓冲电路的设计
放电型RCD缓冲电路的设计与上一篇文章中的RC缓冲电路的设计基本相同，但由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。
但是，如果所使用的二极管的反向恢复电流较大，则在高频工作时二极管的损耗也会比较大，因此要想减少缓冲电路的损耗，就需要选择反向恢复电流尽可能小的二极管。
另外，由于吸收浪涌时的电流变化较大，所以还需要考虑尽量减小缓冲电路中的布线电感。
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