本文的关键要点
・CSNB越大，C缓冲电路的浪涌抑制效果越好。
・但是，需要注意的是，缓冲电路中形成的LSNB需要低于LMAIN，关于LSNB，还需要考虑电容器的ESL。
从本文开始，将逐一为大家介绍上一篇文章中提到的各种缓冲电路的设计方法。本文介绍C缓冲电路的设计方法。
SiC MOSFET：C缓冲电路的设计
图6所示的C缓冲电路是通过CSNB吸收LMAIN积蓄的能量的。因此，缓冲电路中形成的LSNB需要低于LMAIN。CSNB中积蓄的能量基本上不会被释放（放电），因此电容量越大，浪涌抑制效果越好，但关于LSNB，还需要考虑所用电容器的等效串联电感（ESL）。
通常ESL会随着电容器尺寸的增大而增大，因此在选择电容量时需要注意这一点。假设LMAIN中积蓄的能量全部被CSNB吸收，那么可以根据公式（2）计算得出的电容量来选择电容器。
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本资料解释了SiC的物理性质和特点，通过与Si元器件进行比较来具体解释SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点以及用途的差异。同时还包含对全SiC功率模块各种优势的详细说明。
