∎ 使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —总结—
到目前为止，我们已经介绍过以下主题的内容以及实证实验的结果。
- 第4代SiC MOSFET的特点
- 在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
>电路工作原理和损耗分析
>DC-DC转换器实机验证 - 在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
>EV应用
>装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
>图腾柱PFC实机评估
本系列介绍过使用1200V/36mΩ SiC MOSFET的500V输入7kW输出降压型DC-DC转换器的实际应用验证、使用1200V/400A SiC功率模块的800V输入100kW主驱牵引逆变器的模拟行驶试验，还通过使用750V/45mΩ SiC MOSFET的图腾柱PFC实机评估，展示了新一代即第4代SiC MOSFET的应用效果。这些结果表明，在众多应用中，ROHM的第4代SiC MOSFET都能有效提高功率转换效率。
在电动汽车、数据中心、基站、智能电网等高电压、大容量应用中，SiC功率半导体是提高便利性、提高功率转换效率的关键功率器件。第4代SiC MOSFET可以显著改善沟槽结构权衡项之间的关系，并实现更低的导通电阻。SiC MOSFET自有的高速开关性能和第4代SiC MOSFET实现的更低导通电阻，非常有助于提高功率转换效率。
以下是750V和1200V耐压第4代SiC MOSFET的实际产品一览表。
第4代SiC MOSFET产品一览表
| 产品名称 | VDSS(V) | 导通电阻ryp.(mΩ) | 封装 |
|---|---|---|---|
| SCT4045DE | 750 | 45 |  TO-247N |
| SCT4026DE | 26 | ||
| SCT4013DE | 13 | ||
| SCT4062KE | 1200 | 62 | |
| SCT4036KE | 36 | ||
| SCT4018KE | 18 | ||
| SCT4045DR | 750 | 45 |  TO-247-4L |
| SCT4026DR | 26 | ||
| SCT4013DR | 13 | ||
| SCT4062KR | 1200 | 62 | |
| SCT4036KR | 36 | ||
| SCT4018KR | 18 | ||
| SCT4045DW7 | 750 | 45 |  TO-263-7L |
| SCT4026DW7 | 26 | ||
| SCT4013DW7 | 13 | ||
| SCT4062KW7 | 1200 | 62 | |
| SCT4036KW7 | 36 | ||
| SCT4018KW7 | 18 |
第4代SiC MOSFET相关信息
- 第4代SiC MOSFET产品信息
https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet - EV相关应用信息
https://www.rohm.com.cn/solution/automotive/xev
∎【资料下载】SiC功率元器件基础
本资料介绍了SiC的物理性质和优点，并通过与Si元器件的比较介绍了SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点及使用方法上的不同，还介绍了集诸多优点于一身的全SiC模块。
