功率元器件

       

    使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:图腾柱PFC实机评估

  1. 表5 第4代SiC MOSFET产品阵容表
       

    使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —总结—

  2. igbt2-3-f01
       

    IGBT IPM:保护功能和工作时序IGBT IPM控制电源欠压误动作防止功能(UVLO)

  3. igbt2-2-f01
       

    IGBT IPM:保护功能和工作时序IGBT IPM的短路电流保护功能(SCP)

  4. IGBT
       

    IGBT IPM:保护功能和工作时序IGBT IPM:保护功能和工作时序

       

    SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法SiC MOSFET:开关波形的测量方法

       

    SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法 ー前言ー

       

    SiC MOSFET:根据开关波形计算损耗的方法SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

       

    使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:EV应用

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