－接下来想请您介绍一下BD9G341AEFJ。首先请讲一下概要。

BD9G341AEFJ内置的MOSFET是N通道，额定为80V/3.5A。转换方式是称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。用电阻，电容器，肖特基势垒二极管以及电感等少量的外置元器件，可简单地构建高性能的高耐压DC/DC转换器。

因为是电流模式控制，所以，相位补偿简单，可获得高速的瞬态响应。开关频率可在50kHz～750kHz的范围设置，以优化尺寸和效率。此外，还具有近年来在DC/DC转换器上搭载的几乎所有的保护功能。

请参考下面的特点，规格概略和应用电路例。

－我曾认为既然称作高耐压产品是不是因为有什么特别之处，但其实它的构成非常简单啊。

一般高耐压的DC/DC转换器多采用外置高耐压MOSFET的电路结构来实现高耐压，但BD9G341AEFJ通过内置MOSFET，不再需要进行MOSFET的选型工作等。安装面积因无外置MOSFET的部分而变小。是一款不仅高耐压，而且集成了作为最先进的DC/DC转换器IC所需特性的IC。

－也就是除高耐压之外，还有其他优势对吧。

BD9G341AEFJ是以4个关键点为前提开发的。

1. 实现业界顶级的80V高耐压
2．以80V级的DC/DC转换器，实现业界最高效率
3．搭载防止破坏、提高安全性的保护功能，提高设备的可靠性
4．通过小型封装和减少外置元器件，谋求进一步节省空间以及设计的简化

－通过内置MOSFET来实现80V耐压，还是很不容易的吧？

前面已经稍作介绍，80V的高耐压是通过ROHM拥有的业界最先进的电源系统工艺——0.6µm的高耐压BiCDMOS而实现的。如果没有这种高级的制造工艺是无法制造的。实际上，从市场的高耐压产品尚未达到80V看也可明确知道这一点。要想完全满足包括电信和工业领域的48V级输入电压需求，需要80V的耐压。如果是80V，可对突发的浪涌等保有较大余量，因此，可提高电源条件严格、实用性要求高的应用可靠性。

－关于效率,听说在从高输入电压降到低电压的条件下，效率会变差？

－处理高电压时，防止破坏、提高安全性都是非常重要的吧。

－第4点是小型化和设计的简化，这是近来必须考虑的课题。

－最后，请总结归纳一下。

如果考虑电信和工业设备市场的要求，现有的高耐压DC/DC转换器IC，很难实现具有安全余量的电源。相比之下，ROHM以实现了80V业界顶级耐压的IC，进入高耐压DC/DC转换器IC市场。这对用户来说，高耐压DC/DC转换器IC的选择增多了。

但是，近年来的小型省力化要求、以及缩短产品投入市场的时间等课题，是必须要应对的。只是单纯的“80V高耐压”，无法解决用户的不满和课题，因而ROHM开发了BD9G341AEFJ。

目前，ROHM正在进行使高耐压DC/DC转换器产品阵容更完善的衍生品开发，因此，敬请期待今后的产品阵容。