SiC-MOSFET

1. 
   • 2024.04.3

      

   使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果

2. 
   • 2024.03.5

      

   SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法SiC MOSFET：缓冲电路设计方法 －总结－

3. 
   • 2024.03.5

      

   SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法封装引起的浪涌差异

4. 
   • 2024.03.5

      

   SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法非放电型RCD缓冲电路的设计

5. 
   • 2024.01.17

      

   逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性 －总结－

6. 
   • 2024.01.17

      

   逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

7. 
   • 2024.01.17

      

   逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）

8. 
   • 2024.01.5

      

   SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法放电型RCD缓冲电路的设计

9. 
   • 2024.01.5

      

   SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法RC缓冲电路的设计

10. 
    • 2023.12.6

       

    SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法C缓冲电路的设计