本文的关键要点
・控制电源电压欠压误动作防止电路（UVLO），在控制电源电压下降到规定电压以下时会启动。
・虽然HVIC（High Side Gate Driver）和LVIC（Low Side Gate Driver）中均配备了UVLO电路，但FO信号（错误输出）仅在LVIC的UVLO启动时输出。
本文将探讨第二个主题，通常被简称为“UVLO”、一种可防止控制电源欠压时发生误动作的功能。
- 短路电流保护功能（SCP）
- 控制电源欠压误动作防止功能（UVLO）
- 热关断保护功能 （TSD）*仅限BM6337xS
- 模拟温度输出功能（VOT）VOT）
- 错误输出功能（FO）
- 控制输入（HINU、HINV、HINW、LINU、LINV、LINW）
控制电源欠压误动作防止功能（UVLO）
如果控制电源电压降低，IGBT的栅极电压也会降低，可导致IGBT性能下降等问题，因此需要在推荐电源电压范围内使用相关产品。当控制电源电压下降到规定的电压以下时，控制电源欠压误动作防止电路（UVLO：Under Voltage Lock Out，欠压锁定）就会启动。
HVIC（High Side Gate Driver）的浮动电源VBS和LVIC（Low Side Gate Driver）的控制电源VCC均配备了UVLO电路，但FO信号（错误输出）仅在LVIC的UVLO启动时输出。下表中列出了各控制电源电压范围内的IPM工作状态。
| 控制电源电压范围[V]（VCC、VBS） | 工作状态 |
|---|---|
| 0～4.0 | 这不是HVIC和LVIC的正常工作电压范围，因此无法保证UVLO和FO信号输出等各种保护功能的工作。由于外部噪声干扰等可能会导致IGBT误导通，因此不可在打开控制电源之前启动DC-LINK电压。 |
| 4.0～VCCUVR(VCC)、VBSUVR(VBS) | UVLO工作并输出FO信号。 |
| VCCUVR～13.5(VCC) VBSUVR～13.0(VBS) |
虽然执行开关工作，但由于超出了推荐的工作电压范围，因此VCESAT和开关损耗可能会增加，结温可能会升高。 |
| 13.5～16.5(VCC) 13.0～18.5(VBS) |
在推荐的工作电压范围内，正常工作。 |
| 16.5～20.0(VCC) 18.5～20.0(VBS) |
虽然执行开关工作，但由于超出了推荐的工作电压范围，因此开关速度很快，噪声增加。另外，短路耐受时间不足，有损坏的可能性。 |
| 20.0～ | HVIC和LVIC均有损坏的可能性。如果有可能超出额定值，建议配置约1W的齐纳二极管（20～22V）。 |
LVCC控制电源欠压误动作防止功能的工作时序（配备于LVIC）
下面是配备于LVIC侧的LVCC控制电源欠压误动作防止功能的工作时序和时序图。b1～b8的工作说明是时序图中对应编号处的动作。
- b1：LVCC上升，在VCCUVR处释放，在下一个LIN上升沿开始工作（通过LIN对各相输入，各相恢复正常状态）
- b2：正常工作过程中，IGBT导通时流过输出电流Ic
- b3：当LVCC下降到低于VCCUVT时，保护功能启动
- b4：关断下侧桥臂各相的IGBT（无论LIN输入如何都关断）
- b5：当FO输出（90µs Min）、UVLO=H期间在90μs以内时。如果UVLO=H期间在90μs以上，在UVLO=H期间（直到LVCC恢复所需的时间段）输出FO（FO=L）
- b6：当LVCC恢复时，在VCCUVR处释放
- b7：即使在LIN=H（虚线）时被释放，直到下一个LIN上升沿IGBT仍保持关断状态
- b8：正常工作。IGBT导通，流过输出电流Ic
VBS控制电源欠压误动作防止功能的工作时序（配备于HVIC）
接下来，我们来看配备于HVIC侧的VBS控制电源欠压误动作防止功能的工作时序和时序图。同样，c1～c7的工作说明是时序图中对应编号处的动作。
- c1：VBS上升，在VBSUVR处被释放，在下一个HIN上升沿开始工作
- c2：正常工作过程中，IGBT导通，流过输出电流Ic
- c3：当VBS下降到低于VBSUVT时，保护功能启动
- c4：仅相关相的IGBT关断（无论HIN输入如何都关断），FO不输出（保持H）
- c5：当VBS恢复时，在VBSUVR处释放
- c6：即使在HIN=H（虚线）时被释放，直到下一个HIN上升沿IGBT仍保持关断状态
- c7：正常工作。IGBT导通，流过输出电流Ic
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