SPICE子电路模型:使用数学公式的模型

本文将介绍使用数学公式的子电路模型。在这里,请了解除了此前介绍过的器件模型组合而成的子电路模型之外,还有以数学公式为主的子电路模型。

使用数学公式的子电路模型

在子电路模型中,还有通过数学公式特性来表达元器件特性的模型。在上一篇文章上上篇文章中介绍过的“MOSFET的子电路模型”,基本上是由器件模型组合构成的,本文中介绍的子电路模型的类型是由数学公式构成的。下面是使用数学公式的SiC-SBD(肖特基势垒二极管)的子电路模型示例和此前介绍过的MOSFET的子电路模型示例。在这里将省略关于描述的详细介绍,不过通过示例可以了解到两种描述的不同。

电路模型示例图

使用数学公式的子电路模型,可根据元器件的特性调整数学公式,因此具有再现性高的特点。但是,模型比较复杂,因此具有仿真时间较长、容易出现收敛误差的缺点。

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