在三相调制逆变电路中，MOSFET的开关次数很多，因此在开关损耗占主导地位的轻负载时，效率会变差。特别是受MOSFET导通时的反向恢复损耗的影响较大，因此降低该损耗非常重要。
根据PrestoMOS™的双脉冲测试结果，可以确认无论是在轻负载（2A）还是重负载（10A）条件下，PrestoMOS™都有降低导通时损耗的效果。因此可以说，PrestoMOS™可以有效提高逆变电路的效率。
以下是迄今为止发布的相关文章链接和关键要点汇总。
本文的关键要点
・逆变电路是功率转换电路之一，是将直流（DC）转换为交流（AC）的电路。
・在电机驱动应用中经常会用到逆变电路。
・在逆变电路工作时，内置二极管的反向恢复特性对损耗的影响很大。
本文的关键要点
・逆变电路主要分为单相逆变电路和三相逆变电路两类。
・电机驱动采用可使转矩稳定、且可抑制振动和噪声的三相逆变器。
・用三相逆变器驱动电机时的激励方式有方波驱动（120°激励）和正弦波驱动（三相调制、两相调制），不同的方式各有优缺点。
・在本系列文章中，将以电机驱动中常用的正弦波驱动（三相调制）方式为例进行讲解。
本文的关键要点
・在逆变电路工作时，会产生体二极管的反向恢复电流。
・反向恢复时间和反向恢复电流过大会导致损耗增加，这对于逆变电路而言是一个不利因素。
・通过使用反向恢复时间和反向恢复电流峰值小的MOSFET，可以减少逆变电路中的损耗，降低MOSFET损坏的风险。
▶通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
本文的关键要点
・通过双脉冲测试可以评估逆变电路中的反向恢复损耗。
・通过对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，可以确认反向恢复特性出色的PrestoMOS™开关损耗更小。
・这显示了PrestoMOS™在降低逆变器电路损耗方面的优势。
▶通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
本文的关键要点
・通过仿真确认了三相调制逆变电路的电路效率和1个MOSFET的损耗。
・通过在三相调制逆变电路中对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，证实使用反向恢复特性出色的PrestoMOS™的情况下效率更高（损耗更低）。
・在三相调制逆变电路中，反向恢复特性出色的PrestoMOS™在效率方面优势显著。
参考文献：“使用双脉冲测试实证PrestoMOS™器件的特性优势”，应用指南（No.60AN117E），ROHM Co., Ltd.
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