本文的关键要点
・通过双脉冲测试可以评估逆变电路中的反向恢复损耗。
・通过对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，可以确认反向恢复特性出色的PrestoMOS™开关损耗更小。
・这显示了PrestoMOS™在降低逆变器电路损耗方面的优势。
针对第三个主题“通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗”，我们将根据实际测试结果进行具体说明。
- 逆变电路的种类和通电方式
- 三相调制逆变电路的基本工作
- 通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
- 通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
图12为双脉冲测试电路。通过使低边MOSFET(Q2)导通和关断（ON/OFF），使Q1中流过续流电流，来测量开关损耗。双脉冲测试的步骤如下：
- ① 使Q2导通，电流流过L1，并将电能积蓄在L1中。
- ② 关断Q2，使续流电流从L1流向Q1的体二极管，释放L1中积蓄的电能（此时测量Q2的关断损耗）。
- ③ 在Q1的体二极管续流过程中，使Q2导通，测量反向恢复电流流过时的导通损耗（用电流探头和电压探头进行测量）。
※关于双脉冲测试中的测试电路的详细工作原理，请参阅Tech Web的Si功率元器件评估篇“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”，或参阅撰写本系列文章时所参考的应用指南(PDF)。
评估和比较的对象是以高速反向恢复特性著称的PrestoMOS™ R6030JNx和普通的SJ MOSFETR6030KNx。另外，我们还对其他公司的产品进行了比较评估。图12的测试电路对应的测试条件如下：
-
- （1）低边开关（高边续流）
- （2）栅极驱动电压VGS：0V to 12V
- （3）电源电压Vin：280Vdc
- （4）电感L1：1mH
- （5）稳态漏电流ID：2A、4A、6A、8A、10A
- （6）栅极电阻RG(on)：根据器件进行变更（为了使导通的di/dt达到100A/μs）
・PrestoMOS™ R6030JNx：60Ω（并联3个180Ω电阻）
・R6030KNx：180Ω
- （7）栅极电阻RG(off)：22Ω
图13为双脉冲测试中实测获得的导通时的电流波形，图14为实测得到的电压波形。另外，图15为关断时的开关电流波形，图16为电压波形。这些波形是稳态漏极电流ID为6A时的波形。
可以看出，与R6030KNx相比，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）在导通时的反向恢复电流要小得多，而且反向恢复时间也更短。可见，使用PrestoMOS™ R6030JNx可以大幅减少后述的导通损耗。
接下来是测得的开关损耗结果。图17为导通时开关所消耗的能量EON，图18为关断时开关所消耗的能量EOFF。可以看出，如上面图13和图15的开关波形所示，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）的损耗明显更小。
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