什么是IGBT？
本文的关键要点
・当相对于IGBT发射极向IGBT栅极施加正电压时，IGBT导通，流过集电极电流。
・如等效电路图所示，通过Nch MOSFET导通、IB流过PNP晶体管，使PNP晶体管导通，IGBT的集电极和发射极之间导通。
IGBT的工作原理
下面用下列等效电路和截面结构图来说明IGBT的工作原理。
表示IGBT工作原理的等效电路和截面结构示意图
当向发射极施加正的集电极电压VCE，同样向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT导通，集电极和发射极之间导通，流过集电极电流IC。
将这个动作对应于等效电路时，即当施加正VGE时，Nch MOSFET导通，这会使基极电流IB流过PNP晶体管，最终，PNP晶体管导通，从而使IC从IGBT的集电极流向发射极。
截面结构图中显示了内部电子和空穴（电洞）的运动情况。当向栅极施加正VGE时，电子⊖聚集在栅极电极正下方的P+层中并形成沟道。这与MOSFET导通的原理基本相同。因此，从IGBT的发射极供给的电子沿N+层⇒沟道⇒ N-漂移层 ⇒ P+集电极层的方向移动。而空穴（电洞）⊕则由P+集电极层提供给N-漂移层。该层之所以被称为“漂移层”，是因为电子和空穴两者的载流子都会移动。也就是说，电子从IGBT发射极向IGBT集电极的移动意味着电流（IC）从IGBT集电极流向IGBT发射极。
