损耗因素

本文将探讨工作条件和损耗增加之间的关系。

损耗因素

此前介绍过在电源电路的很多部位都会产生损耗,整体损耗的构成部分–特定部位的损耗在某些工作条件下会增加。所以需要先认识到工作条件是造成损耗增加的因素之一。下面汇总了与条件相关的造成损耗的因素,同时还给出了损耗的计算公式,这样可以更明确地理解其关联性。

随着负载电流 I_O 的增加而增加的损耗因素

・高边侧的MOSFET导通电阻 P_ONH 带来的传导损耗

    P_ONH=P_ONH×〖I_O〗^2×V_O/V_IN

・低边侧的MOSFET导通电阻 P_ONL 带来的传导损耗

    P_ONL=P_ONL×〖I_O〗^2×(1-V_O/V_IN )

・电感(线圈)的DCR RDC 带来的导通损耗

    P_COIL=R_DC×〖I_O〗^2

随着频率 f_SW 的提高而增加的损耗因素

・栅极电荷损耗

    P_GATEH=〖Qg〗_H(total) ×V_Driver×f_SW P_GATEL=〖Qg〗_L(total) ×V_Driver×f_SW

受负载电流 I_O 和频率f_SW两者影响的损耗因素

・开关损耗

    P_SWH=0.5×V_IN×I_O×(t_RISE+t_FALL )×f_SW

・Dead Time损耗

    P_DT=2×V_F×I_O×t_(dead_time)×f_SW

这些是和电源电路的规格变更和条件变动有关的因素。只要理解了这些关系,就可以明白探讨规格和条件变更时的注意要点。

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