本文将介绍第四个主题，也是本系列文章的最后一篇“通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率”。这次是通过仿真来进行效率比较的。

• 逆变电路的种类和通电方式
• 三相调制逆变电路的基本工作
• 通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
• 通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后，本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样，即PrestoMOS™ R6030JNx和普通的SJ MOSFETR6030KNx。这次是通过仿真来进行效率比较的。图19为仿真电路。

仿真条件是根据双脉冲测试电路中所用的条件进行了如下设置：

1. ）栅极驱动电压V_GS：0V to 12V
2. ）电源电压V_in：280Vdc
3. ）电感L_U、L_V、L_W：8mH
4. ）开关频率f_sw：5kHz
5. ）栅极电阻R_G(on)：根据器件进行变更（为了使导通的di/dt达到100A/μs）
   ・PrestoMOS™ R6030JNx：60Ω（并联3个180Ω电阻）
   ・R6030KNx：180Ω
6. ）栅极电阻R_G(off)：22Ω
7. ）输出功率P_OUT：100W、300W、500W、700W、1000W

图20为仿真得到的效率。图21为仿真过程中1个MOSFET的损耗。

从结果可以看出，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）的效率更高，其优异的反向恢复特性是非常有助于提高效率的。另外，关于损耗，当输出功率为1000W时，1个MOSFET的损耗改善了0.5W，而使用6个MOSFET时，这些MOSFET加起来可以改善3W的损耗。

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