在上一篇文章中，我们了解了使用θ_JA进行T_J估算的计算示例。在本文中，我们一起来看使用Ψ_JT进行T_J估算的计算示例。示例中的IC使用与上次一样的LDO线性稳压器BD450M2EFJ-C。

使用Ψ_JT进行T_J估算时的计算示例

要使用Ψ_JT求出T_J，需要实装电路板条件、其IC技术规格书等资料中提供的Ψ_JT值、IC的功耗P、以及实际使用状态下IC封装顶部中心温度T_T的值。正如上一篇文章中所介绍的，P使用根据技术规格书中的消耗电流值计算出来的值，或实测的消耗电流值。在本例中，使用上次得到的计算值P＝0.85W。T_T需要实际测量。

首先，安装电路板条件如下，与上一篇文章中的条件相同，根据曲线图，求铜箔面积为1000mm²时的Ψ_JT值。

层数	：1层
电路板材料	：FR4
铜箔面积	：20mm×50mm＝1000mm2

从图中读取到的Ψ_JT为6℃/W，T_T的实测值为115℃。右侧为T_T的测量示意图。使用热电偶测量封装顶部中心的温度。
以下是计算公式和结果。

由于示例IC的T_JMAX为150℃，因此可以判断该条件是容许范围内的使用条件。

如前所述，使用Ψ_JT进行T_J估算时，由于使用实测的T_T值，因此具有可以估算其工作条件下的T_J值的优点。

下一篇将介绍使用瞬态热阻值进行T_J估算的示例。