TJ的估算:使用ΨJT的计算示例

电子设备中半导体元器件的热设计

本文的关键要点

・通过热阻ΨJT来估算TJ时,需要功耗P和实际使用状态下IC封装顶部中心温度TT的值。

・TT需要实际测量。

・根据公式求出TJ并确认它的值在TJMAX以内。

上一篇文章中,我们了解了使用θJA进行TJ估算的计算示例。在本文中,我们一起来看使用ΨJT进行TJ估算的计算示例。示例中的IC使用与上次一样的LDO线性稳压器BD450M2EFJ-C

使用ΨJT进行TJ估算时的计算示例

要使用ΨJT求出TJ,需要实装电路板条件、其IC技术规格书等资料中提供的ΨJT值、IC的功耗P、以及实际使用状态下IC封装顶部中心温度TT的值。正如上一篇文章中所介绍的,P使用根据技术规格书中的消耗电流值计算出来的值,或实测的消耗电流值。在本例中,使用上次得到的计算值P=0.85W。TT需要实际测量。

首先,安装电路板条件如下,与上一篇文章中的条件相同,根据曲线图,求铜箔面积为1000mm2时的ΨJT值。

层数 :1层
电路板材料 :FR4
铜箔面积 :20mm×50mm=1000mm2

从图中读取到的ΨJT为6℃/W,TT的实测值为115℃。右侧为TT的测量示意图。使用热电偶测量封装顶部中心的温度。
以下是计算公式和结果。

由于示例IC的TJMAX为150℃,因此可以判断该条件是容许范围内的使用条件。

如前所述,使用ΨJT进行TJ估算时,由于使用实测的TT值,因此具有可以估算其工作条件下的TJ值的优点。

下一篇将介绍使用瞬态热阻值进行TJ估算的示例。

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