电源设计技术信息网站
订阅电子杂志
English
繁體中文
日本語
한국어
基础知识
学习电源、功率元器件基础知识
TECH INFO
实用热门技术文献
设计资料
下载设计手册和资料
产品信息
罗姆的电源产品一览和链接
研讨会信息
下载中心
首页
基础知识
SiC功率元器件
基础知识
SiC功率元器件
応用編
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
前言
基础篇
前言
前言
何谓SiC（碳化硅）？
何谓碳化硅
SiC功率元器件的开发背景和优点
SiC肖特基势垒二极管
所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验
所谓SiC-MOSFET
所谓SiC-MOSFET－特征
所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较
所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别
与IGBT的区别
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
全SiC功率模块
所谓全SiC功率模块
全SiC功率模块的开关损耗
运用要点
栅极驱动 其1
栅极驱动 其2
应用要点
缓冲电容器
专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
支持工具
全SiC模块损耗模拟器
总结
总结
基础知识
TECH INFO
设计资料
产品信息
研讨会信息
联系我们
English
繁體中文
Japanese
