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SiC功率元器件
基础知识
SiC功率元器件
基础篇
前言
前言
何谓SiC（碳化硅）？
何谓碳化硅
SiC功率元器件的开发背景和优点
SiC肖特基势垒二极管
所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验
所谓SiC-MOSFET
所谓SiC-MOSFET－特征
所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较
所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别
与IGBT的区别
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
全SiC功率模块
所谓全SiC功率模块
全SiC功率模块的开关损耗
运用要点
栅极驱动 其1
栅极驱动 其2
应用要点
缓冲电容器
专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
支持工具
全SiC模块损耗模拟器
总结
总结
应用篇
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
前言
SiC MOSFET的桥式结构
SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
桥式电路的开关产生的电流和电压
低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作
低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
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