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2021.09.22 Si功率元器件

PMDE封装的外形和内部结构

Si二极管用的散热性能出色的小型封装“PMDE”评估

PMDE与PMDU封装:外形比较

下面是PMDE和PMDU的外形比较图。新封装PMDE与传统的PMDU封装相比,安装面积削减了约40%,尽管如此,通过将背电极面积增加1.5倍左右,还是确保了与PMDU同等的封装容许损耗,而且实装强度也提高了约1.4倍。

従来パッケージPMDUと新パッケージPMDEの外形比較
传统封装PMDU与新封装PMDE的外形比较

PMDE与PMDU封装:内部结构和散热路径的比较

与传统的PMDU封装不同,新封装PMDE对于元件与引线框架之间的电气连接并未使用金属丝,而是采用了将元件直接夹在引线框架之间“无线结构”。这种结构消除了由浪涌电流导致断线的风险,从而实现了出色的浪涌电流耐受性(IFSM)。在后述的SBD产品阵容中,IFSM为20~30A,保证了非常大的值。下面是PMDE与PMDU内部结构和散热路径的比较。

PMDEとPMDUの内部構造と放熱経路の比較
PMDE与PMDU内部结构和散热路径的比较

在PMDU的情况下,PMDU的大部分下表面被模塑树脂覆盖,因此阴极侧的散热主要通过引线框架的横向热传导来进行。而PMDE的结构,通过大面积暴露底部电极,能够直接有效地将热量散发到电路板上。综上所述,PMDE的设计使得封装的容许损耗不会因小型化而降低。

关键要点:

・PMDE与PMDU相比实际安装面积减少了约40%,还确保了同等的封装容许损耗,且安装强度提高了1.4倍。

・无线结构消除了浪涌电流导致断线的风险,因此实现了出色的浪涌电流耐受能力(IFSM)。

・PMDE的结构通过大面积暴露底部电极,能够直接有效地将热量散发到电路板上。