故障排除(Trouble Shooting) ② : 当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时

上一篇文章中介绍了故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”的对策,同时也提到了相应对策的注意事项。本文将介绍当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时的注意事项和处理方法。

故障②:当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时

以下的电路图与上一篇文章中给出的电路图相同,其中给出了防止二次侧MOSFET误导通的对策①-1,添加铁氧体磁珠和调整滤波用电阻R1(加大)。然而,该对策中如果R1的值过大,在轻负载时二次侧MOSFET有时可能会误导通。下面使用右下图来说明其机理。

对策 1-1插入B1、调整R1电阻值 轻负载时 误检测动作波形

  • 1:因决定关断时序的R1阻值过大,故DRAIN引脚电压的检测延迟,VGS2无法变为Low。
  • 2:在VGS2变为Low之前,IFET2处于逆流状态。
  • 3:逆流的IFET2积蓄,二次侧MOSFET关断,因此VDS2的谐振振幅增加。
  • 4:VDS2再次变为负电压,VGS2变为High(二次侧MOSFET误导通)。
  • 5:与2同样,流过IFET2逆流电流,反复3、4、5。

对策

针对这种故障②,大致有4种对策。不过,与故障①的对策引发故障②相同,各对策都存在需要权衡的注意事项。下面汇总了4种对策及其注意事项。

故障②:当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时
对策 注意事项
对策②-1
减小DRAIN引脚连接电阻R1
如果R1过小的话,噪声滤除效果也会减弱,因此可能会回到故障①的“二次侧MOSFET立即关断”状态
对策②-2
改用强制关断时间长的型号(IC)
如果强制关断时间过长,重负载时二次侧MOSFET的导通可能会延迟
对策②-3
在二次侧MOSFET的漏极-源极间添加缓冲电路
在发生谐振动作的范围(无负载~中负载)添加缓冲电路,会导致待机功耗增加,效率恶化
对策②-4
减小变压器的匝比Ns / Np
一次侧MOSFET的VDS耐压余量减少

※针对故障②,使用编号“对策②-n”来表示其对策。

●对策②-1:减小DRAIN引脚连接电阻R1
通过减小滤波用电阻R1的值,使VDS2的谐振振幅降低,可防止二次侧MOSFET误导通。作为故障①的对策,曾提到过加大R1值的方法,但是如果R1过大,或最初的选择值过大,就需要重新向减小的方向调整R1的值。

※注意事项:如果R1过小,噪声滤除效果也会减弱,受DRAIN引脚电压引发的噪声影响,可能会回到故障①的“二次侧MOSFET立即关断”状态。使用该对策反复调整均看不到明显效果时,就需要尝试其他对策。

●对策②-2:改用强制关断时间长的型号(IC)
可通过在二次侧MOSFET关断后,在比一个谐振周期(误导通发生期间)长的时间%E

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