上一篇文章作为同步整流部分设计的开头，介绍了确定设计所用的电源IC相关内容。本文开始进入所选电源IC BM1R00147F的外围电路部件的选型部分。本文介绍DRAIN引脚的D1、R1、R2。

同步整流电路部分：外围电路部件的选型－DRAIN引脚的D1、R1、R2

下面是DRAIN引脚没有浪涌对策时的电路和波形图示例。

V_DS2的波形（浅蓝色）中，在上升沿产生了浪涌（或尖峰）。这会导致误检测，V_GS2（紫色）在比本来所需时间短的时间关断了。

下面是作为该浪涌的对策，在DRAIN引脚添加了D1、R1、R2后的电路和波形图示例。

浪涌因D1、R1、R2而受到抑制，V_DS2的检测正常，V_GS2也变为正常波形。

至此，您应该了解插入D1、R1、R2的目的和效果了，下面介绍它们的具体常数设置。

■二极管D1
二极管D1为MOSFET导通时的电流路径。在电路图中仅仅是二极管的符号，请选用正向电压V_f低的小信号肖特基势垒二极管（SBD）。另外，DRAIN引脚的阻抗高，因此D1无需V_DS2以上的耐压，可选用低耐压产品。在该设计案例中，选用ROHM生产的RB751VM-40（V_R＝30V、I_O＝30mA、V_{f MAX}＝0.37V）。

■R1
R1是V_DS2检测滤波器用电阻。请插入300Ω~2kΩ左右的电阻。需要根据V_DS2的波形和V_GS2的波形进行选择。在该设计案例中是1kΩ。另外，关于R1的常数设置，计划另行详细介绍。

■R2
R2是限流电阻。在二次侧MOSFET M2电流I_FET2开始流动的瞬间，二次侧MOSFET M2处于OFF状态，因此I_FET2会流过二次侧MOSFET M2的体二极管，故V_DS2＝－V_{f_M2}（MOSFET M2的体二极管的V_f）。IC的DRAIN引脚变为负电压，因此从IC流出电流Id。（参见下图）

为了保护IC，R2的选择需要满足此时流过的电流Id在6mA以下。R2可通过以下公式计算出来。

当MOSFET M2的体二极管的V_f最大值V_{f_M2 MAX}为1.2V、D1的V_f最小值V_{f_D1_MIN}＝0.2V、IC内部ESD二极管的V_f最小值V_{f_ESD_MIN}＝0.4V时，R2＞100Ω。

考虑到余量，选择150Ω。