理解了上一篇文章中“电源规格与替代电路示例”的内容后，下面进入具体的电路设计。原电路的二次侧为二极管整流电路，将其改为同步整流电路的步骤为：1）选择整流二极管替换用MOSFET，2）确认相关各条件并进行设置，3）从设计所使用的IC BM1R001xxF系列中选择最适合的IC。本文中首先对取代二极管的的MOSFET进行选型。
同步整流电路部分：取代二次侧整流二极管的同步整流用MOSFET的选型
先选择取代二次侧整流二极管DOUT的同步整流用MOSFET M2。为了进行替换，需要先确认现有电路中的电流、电压和波形等，然后选择适合的MOSFET。首先，需要确认整流二极管DOUT产生的反向电压VR和正向电流IF。参见右图。
以测得的整流二极管反向电压VR和正向电流IF为大致标准，来确定替代用MOSFET的最大漏源间电压VDS、漏极电流ID。
另外，在进行MOSFET选型时，还需要考虑到Ron（导通电阻）带来的损耗、封装的最大容许损耗PD等因素。如果MOSFET M2的Ron过高，MOSFET可能会异常发热。在设计时需要充分考虑到这些因素，并在整机实装的状态下进行确认，必要时需要配置散热器等进行散热。
根据上述波形观测结果，MOSFET M2的选型示例如下。该选择对于VR、IF的峰值来说具有充分余量。
＜MOSFET M2的选型示例＞
VDS＝60V （VR_PEAK＝40V起）
ID=50A （IF_PEAK＝26A起）
其他特性：Ron＝4mΩ，PD＝120W
请注意，电源IC BM1R001xxF系列的DRAIN引脚的绝对最大额定值为120V（Ta＝25℃）。需要确认施加于IC的DRAIN引脚的电压不要超过绝对最大额定值。如果需要对DRAIN引脚施加超出绝对最大额定值的电压，请参阅后续计划介绍的“反激式应用中的故障排除”、“当VDS2受浪涌影响而超过二次侧MOSFET的VDS耐压时”的对策方案。
