开关损耗

  1. graf08_170425
       

    所谓SiC-MOSFET与IGBT的区别

  2. loss1
       

    重点必看开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小

  3. 3G
       

    重点必看采用第3代SiC-MOSFET，不断扩充产品阵容

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